CY15B101N-ZS60XA модуль памяти, FRAM, 1Мбит, Parallel, 2В ~ 3.6В

CY15B101N-ZS60XA от Infineon Technologies — микросхема FRAM (Ферромагнитная Память) объемом 1МБит с параллельным интерфейсом и оболочкой TSOP II.

• Основные параметры:
• Объем памяти: 1МБит
• Интерфейс: параллельный
• Оболочка: TSOP II
• Тип памяти: FRAM (Ферромагнитная Память)
• Напряжение питания: 3,0 В
• Частота работы: до 20 МГц
• Плюсы:
• Высокая скорость записи и чтения данных
• Нетребовательность к питанию при записи
• Устойчивость к излучению и переносимость ударов
• Долгий срок службы без потери данных
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными типами памяти
• Ограниченный объем памяти
• Общее назначение:
• Сохранение конфигурации устройств
• Запись и хранение критически важных данных
• Автоматизация и управление системами
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления
• Промышленное оборудование
• Устройства здравоохранения
• Компьютерные системы
• Системы безопасности