CY7C1021BNV33-10ZC

• Напряжение питания: 2.5 В - 3.6 В
• Технология: CMOS
• Форм-фактор: DIP-48

Плюсы:

• Быстродействие: Доступ к памяти осуществляется за 15 наносекунд
• Прямой доступ: Память имеет прямой доступ к процессору без использования буферов
• Надежность: SRAM надежнее DRAM при отключении питания

Минусы:

• Высокая стоимость: Сравнительно дорогая по сравнению с DRAM
• Высокое энергопотребление: Необходимо постоянное питание для поддержания данных в памяти
• Меньший объем: Для больших объемов данных используется менее эффективно

Общее назначение:

• Буферизация данных
• Хранение конфигурационной информации
• Программное обеспечение и приложения, требующие быстрого доступа к данным

В каких устройствах применяется:

• Компьютеры и серверы
• Электронные системы управления
• Системы безопасности
• Игровые приставки
• Автомобильные системы