CY7C1041GN30-10ZSXI микросхема памяти, SRAM, 4Мбит, 10нс, 2.2В ~ 3.6В

CY7C1041GN30-10ZSXI от Infineon Technologies

• Тип микросхемы: SRAM (память с неразрядным адресованием)
• Объем памяти: 4 МБИТ (мегабит)
• Тип интерфейса: параллельный
• Форм-фактор: 44-пиновый TSOP II (транзистор-сопротивление-оптический пакет)

Основные параметры:

• Ширина данных: 32 бита
• Частота работы: до 83 МГц
• Вoltage: 2,5 В - 3,6 В

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным
• Надежность благодаря SRAM технологии
• Простота использования из-за параллельного интерфейса

Минусы:

• Высокая энергопотребляемость по сравнению с ОЗУ DRAM
• Необходимость большего количества пинов для подключения

Общее назначение:

• Кэширование данных в процессорах
• Сохранение временных данных в системах управления
• Обработка больших объемов данных в приборах и устройствах

Применяется в:

• Процессорах и системах на чипе (SoC)
• Мобильных устройствах
• Оборудовании для обработки данных (например, серверах)
• Автомобилестроении (автономное управление)