
Войдите в профиль
Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения
Москва


Минимальная цена CY7C1049GE30-10ZSXI при покупке от 1 шт 1490.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CY7C1049GE30-10ZSXI с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Маркировка CY7C1049GE30-10ZSXI, производитель Infineon Technologies, описание микросхемы:
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Общее назначение: Эта микросхема представляет собой последовательно-параллельный синхронный буферной памяти с параллельным интерфейсом. Она предназначена для использования в различных приложениях, где требуется высокая скорость и надежность.
Основные параметры:
Тип памяти: SRAM (Синхронная буферная память)
Объем памяти: 4 Мбит (512 КБ)
Интерфейс: Параллельный
Количество линий адреса: 18
Количество данных: 36
Форм-фактор: 44-пиновый TSOP II
Напряжение питания: 3,3 В
Частота работы: до 100 МГц
Плюсы:
Высокая скорость работы
Надежность и стабильность
Устойчивость к помехам
Поддержка широкого диапазона рабочих температур
Доступность в различных форм-факторах
Минусы:
Высокая стоимость по сравнению с НРМ
Необходимость постоянного питания для сохранения данных
Общее назначение: Используется в различных устройствах, требующих быстродействия и надежности памяти, таких как:
Системы управления
Коммуникационное оборудование
Оборудование для измерений
Производственное оборудование
Автомобильные системы
Электронные устройства потребления
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
Минимальная цена CY7C1049GE30-10ZSXI при покупке от 1 шт 1490.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CY7C1049GE30-10ZSXI с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Маркировка CY7C1049GE30-10ZSXI, производитель Infineon Technologies, описание микросхемы:
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Общее назначение: Эта микросхема представляет собой последовательно-параллельный синхронный буферной памяти с параллельным интерфейсом. Она предназначена для использования в различных приложениях, где требуется высокая скорость и надежность.
Основные параметры:
Тип памяти: SRAM (Синхронная буферная память)
Объем памяти: 4 Мбит (512 КБ)
Интерфейс: Параллельный
Количество линий адреса: 18
Количество данных: 36
Форм-фактор: 44-пиновый TSOP II
Напряжение питания: 3,3 В
Частота работы: до 100 МГц
Плюсы:
Высокая скорость работы
Надежность и стабильность
Устойчивость к помехам
Поддержка широкого диапазона рабочих температур
Доступность в различных форм-факторах
Минусы:
Высокая стоимость по сравнению с НРМ
Необходимость постоянного питания для сохранения данных
Общее назначение: Используется в различных устройствах, требующих быстродействия и надежности памяти, таких как:
Системы управления
Коммуникационное оборудование
Оборудование для измерений
Производственное оборудование
Автомобильные системы
Электронные устройства потребления
