CY7C1061G30-10ZSXI

CY7C1061G30-10ZSXI Infineon Technologies микросхема:

• Тип: SRAM (память с накоплением)
• Объем: 16 Мбит (2 МБ)
• Паритативность: PAR (проверка четности)
• Форм-фактор: 54-штырьковый TSOP II

Основные параметры:

• Частота работы: до 100 МГц
• Входной напряжение: 3.3 В
• Тип интерфейса: ASB (Asynchronous Synchronous Bus)
• Режим работы: Синхронный и асинхронный

Плюсы:

• Высокая скорость доступа: до 100 МГц
• Стабильность: надежная работа при высокой частоте
• Малый размер: компактный 54-штырьковый TSOP II корпус
• Паритативность: защита от ошибок при чтении/записи данных

Минусы:

• Высокая стоимость: по сравнению с ОЗУ DRAM
• Высокое энергопотребление: потребляет больше энергии, чем DRAM

Общее назначение:

• Кэш-память: для временного хранения часто используемых данных
• Конфигурационная память: для загрузки начальных настроек устройств
• Данные буферизация: для временного хранения данных перед их обработкой или передачей

Применение:

• Информационные технологии: серверы, рабочие станции
• Автомобильная промышленность: системы управления двигателем, автономное вождение
• Медицинское оборудование: рентгеновские аппараты, томографы
• Электроника: консоли, игровые приставки