CY7C11651KV18-400BZXC

Микросхема CY7C11651KV18-400BZXC от компании Cypress Semiconductor Corp

• Тип: SRAM (память с запоминанием)
• Объем: 18 Мбит (2,25 МБ)
• Интерфейс: параллельный
• Форм-фактор: 165 FBGA (Flip-Chip Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Время доступа: до 2 наносекунд
• Рабочее напряжение: 2,5 В - 3,6 В
• Шина данных: 16 бит

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным
• Надежность и стабильность работы
• Поддержка высоких частот
• Компактный размер за счет использования FBGA

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Меньшая емкость по сравнению с современными NAND-памятями

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах
• Буферное хранение данных в сетевых устройствах
• Хранение конфигурационной информации в сетевых и коммуникационных устройствах

Применение в устройствах:

• Процессоры
• Сетевые адаптеры
• Сетевые маршрутизаторы
• Системы хранения данных
• Системы управления