CY7C1263XV18-600BZXC

Микросхема CY7C1263XV18-600BZXC от компании Cypress Semiconductor Corp

• Тип: SRAM (Синхронная случайно доступная память)
• Объем: 36 Мбит (4 МБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Форм-фактор: 165_FBGA (165-핀 Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота: 600 МГц
• Питание: 1.8 В
• Время доступа: 2 нс
• Стандарты: DDR (Double Data Rate)

Плюсы:

• Высокая скорость работы благодаря частоте 600 МГц.
• Низкое время доступа, что обеспечивает быстрый доступ к данным.
• Устойчивость к помехам благодаря синхронной структуре.
• Широкий диапазон рабочих температур.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с DRAM.
• Расход энергии может быть выше при постоянном доступе к памяти.

Общее назначение:

• Кэш-память для процессоров.
• Буферизация данных для высокоскоростных интерфейсов.
• Хранение конфигурационной информации в сетевых устройствах.

Применение:

• Процессоры и системы на чипе (SoC).
• Сетевые устройства, такие как маршрутизаторы и брандмауэры.
• Коммутаторы и свичи.
• Медицинское оборудование и другие устройства требующие высокой скорости обработки данных.