CY7C1312KV18-300BZXI

Микросхема CY7C1312KV18-300BZXI от Infineon Technologies

• Тип: SRAM (Синхронная случайно доступная память)
• Объем: 18 Мбит или 2,25 МБ
• Интерфейс: Параллельный (16 бит)
• Пакет: 165_FBGA (165-핀 BGA)

Основные параметры:

• Шина данных: 16 бит
• Частота работы: до 100 МГц
• Напряжение питания: 3,3 В
• Тип интерфейса: CMOS

Плюсы:

• Высокая скорость работы
• Устойчивость к помехам
• Доступность параллельного интерфейса для прямого подключения к микроконтроллерам
• Малый размер за счет использования BGA пакета

Минусы:

• Высокое энергопотребление по сравнению с DDR SDRAM
• Требует более сложной системы питания и охлаждения из-за высокой скорости работы

Общее назначение:

• Кэш-память для процессоров
• Короткосрочное хранение данных в системах управления
• Буферизация данных в сетевых устройствах

Применение:

• Компьютерное оборудование
• Системы связи
• Строительство сетевых устройств
• Автомобильные системы
• Производственные контроллеры