CY7C1370DV25-200BZI

Разрешенные параметры микросхемы CY7C1370DV25-200BZI:

• Марка: CY7C1370DV25-200BZI

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp

• Тип: Микросхема ZBT SRAM

• Объем памяти: 512Kx36

• Напряжение питания: 2.5 В

• Технология: 200 мкм

• Форм-фактор: DIP (Dual In-line Package)

Основные плюсы:

• Высокая плотность данных

• Надежность работы при различных температурных условиях

• Поддержка быстрого доступа к данным

• Минимальное энергопотребление

Основные минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти

• Неустойчивость к воздействию электромагнитных полей

• Требует более сложного управления по сравнению с менее сложными типами памяти

Общее назначение:

• Хранение временных данных

• Буферизация данных для ускорения обработки информации

• Сохранение конфигурационной информации для устройств

В каких устройствах применяется:

• Сетевые адаптеры

• Компьютерные системы

• Автомобильные электронные системы

• Устройства связи

• Промышленное оборудование