CY7C1381KV33-100BZXI

CY7C1381KV33-100BZXI от Infineon Technologies — микросхема SRAM (Синхронная память)

• Объем памяти: 18 Мбит (2.25 МБ)
• Тип соединения: Параллельный
• Форм-фактор: 165_FBGA (165-핀 Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота работы: 133 МГц
• Напряжение питания: 3.3 В
• Количество адресных линий: 24
• Количество данных линий: 16

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным благодаря синхронной структуре.
• Устойчивость к помехам из-за синхронного характера работы.
• Малое энергопотребление по сравнению с асинхронными типами памяти.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с асинхронными типами памяти.
• Зависимость от системного тактового сигнала, что усложняет разработку.

Общее назначение:

• Кэш-память для процессоров.
• Хранение временных данных и буферизация информации.

В каких устройствах применяется:

• Процессоры и системы на базе процессоров.
• Системы управления и автоматизации.
• Коммуникационное оборудование.
• Программное обеспечение и системы обработки данных.