CY7C1423KV18-300BZC

Микросхема CY7C1423KV18-300BZC от компании Cypress Semiconductor Corp:

• Тип: SRAM (Синхронная память с запоминанием)
• Объем: 36 Мбит (4 МБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Количество выводов: 165 FBGA (Фут print Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота работы: До 133 МГц
• Время доступа: 8 нс
• Напряжение питания: 1,8 В
• Температурный диапазон: -40°C до +85°C

Плюсы:

• Высокая скорость работы, благодаря синхронной структуре.
• Низкое время доступа, что позволяет эффективно обрабатывать большие объемы данных.
• Малый размер пакета, благодаря использованию FBGA-модуляции.
• Устойчивость к помехам, из-за синхронного характера работы.

Минусы:

• Высокая стоимость, по сравнению с асинхронными типами памяти.
• Высокие требования к питанию, из-за потребления большего количества энергии.

Общее назначение:

• Кэширование данных, в системах процессоров и графических ускорителей.
• Хранение конфигурационных данных, для программного обеспечения и аппаратных модулей.
• Буферизация, для временного хранения данных перед их обработкой.

Применение:

• Процессоры и графические ускорители.
• Системы хранения данных.
• Автомобильные системы.
• Оборудование для связи и коммуникаций.