CY7C1426KV18-300BZXC

Микросхема CY7C1426KV18-300BZXC от компании Cypress Semiconductor Corp

• Тип: SRAM (память с непрерывным адресованием)
• Объем: 36 Мбит (4 МБ)
• Интерфейс: параллельный (165 FBGA)

Основные параметры:

• Частота работы: до 200 МГц
• Время доступа: 10 нс
• Питание: 1,8 В
• Форм-фактор: 165_FBGA

Плюсы:

• Высокая скорость: поддерживает частоту до 200 МГц
• Надежность: стабильная работа при высокой скорости
• Многоразовый доступ: данные могут быть записаны и считаны многократно
• Малый размер: компактная 165_FBGA технология

Минусы:

• Высокая стоимость: по сравнению с другими типами памяти
• Высокое энергопотребление: потребляет больше энергии по сравнению с DRAM
• Уязвимость к перезагрузкам: требует постоянного питания для сохранения данных

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах
• Буферизация данных в системах хранения информации
• Системное программное обеспечение
• Коммутационные системы
• Программное обеспечение сетевых устройств

Применяется в:

• Компьютерах и серверах
• Сетевом оборудовании
• Автомобильных системах
• Аэрокосмической технике
• Медицинской аппаратуре