CY7C1512KV18-300BZXI

Микросхема CY7C1512KV18-300BZXI от компании Cypress Semiconductor Corp:

• Тип: SRAM (Синхронная память с возвратом)
• Объем: 72 Мбит (9 МБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Форм-фактор: 165FBGA (165-пиновый Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Частота работы: до 133 МГц
• Питание: 1.8 В
• Время доступа: 6 нс

Плюсы:

• Высокая скорость работы, благодаря синхронному интерфейсу,
• Низкое энергопотребление, благодаря использованию 1.8 В,
• Высокая плотность данных, за счет большого объема памяти,
• Устойчивость к ошибкам, благодаря проверке на парность.

Минусы:

• Высокая стоимость, из-за большого объема памяти и сложной конструкции,
• Комплексное проектирование, требует специализированных знаний и инструментов.

Общее назначение:

• Кэш-память для процессоров, особенно в мобильных устройствах,
• Работа с высокоскоростными алгоритмами, требующими быстрого доступа к данным,
• Системное программное обеспечение, где требуется высокая производительность.

Применяется в:

• Мобильных устройствах (телефоны, планшеты),
• Серверах и системах высокой производительности,
• Аппаратном обеспечении для обработки больших объемов данных.