CY7C1515V18-250BZC

Микросхема CY7C1515V18-250BZC от компании Cypress Semiconductor Corp

• Тип: SRAM (Синхронная случайно доступная память)
• Объем: 72 Мбит или 9 Мбайт
• Интерфейс: Параллельный
• Форм-фактор: 165FBGA (165-пиновая Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Шина данных: 36 бит
• Частота работы: до 133 МГц
• Время доступа: 4 наносекунды
• Питание: 1.8 В
• Рабочие температурные диапазоны: -40°C до +85°C

Плюсы:

• Высокая скорость работы
• Устойчивость к помехам благодаря синхронной структуре
• Высокая плотность памяти
• Многофункциональность благодаря большому объему памяти
• Поддержка широкого диапазона рабочих температур

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Необходимость постоянного питания для сохранения данных
• Большой потребление энергии при работе

Общее назначение:

• Кэш-память в процессорах и графических адаптерах
• Хранилище конфигурационных данных в сетевых устройствах и маршрутизаторах
• Буферная память для цифровых обработчиков сигналов
• Короткосрочное хранилище данных в бытовой электронике и мобильных устройствах

Применяется в:

• Процессорах
• Графических адаптерах
• Маршрутизаторах и сетевых устройствах
• Бытовой электронике
• Мобильных устройствах
• Цифровых обработчиках сигналов