CY7C1550KV18-450BZXC

Микросхема CY7C1550KV18-450BZXC от компании Cypress Semiconductor Corp:

• Тип: SRAM (Синхронная случайно доступная память)
• Объем: 72 Мбит (9 МБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Количество битов на шине данных: 16 бит
• Форм-фактор: 165_FBGA (165-핀 Ball Grid Array)

Основные плюсы:

• Высокая скорость доступа: SRAM обеспечивает быстрый доступ к данным по сравнению с DRAM.
• Стабильность: Синхронное действие обеспечивает стабильную работу микросхемы.
• Низкая задержка: Из-за синхронного действия и высокой плотности памяти задержка может быть очень низкой.
• Прямой доступ: Позволяет прямому доступу к любому адресу памяти без необходимости предварительного чтения или записи.

Основные минусы:

• Высокая стоимость: SRAM требует больше энергии и занимает больше места по сравнению с DRAM.
• Неэнергоэффективность: SRAM потребляет больше энергии по сравнению с DRAM.
• Недостаточная плотность: Хотя 72 Мбит большой объем для SRAM, он все еще меньше, чем у DRAM на ту же площадь.

Общее назначение:

• Буферизация данных
• Кеш-память
• Системная память в оборудовании с высокими требованиями к скорости работы

В каких устройствах применяется:

• Процессоры и системные чипсеты
• Сетевые устройства
• Приборы для тестирования и отладки
• Медицинское оборудование
• Промышленные контроллеры