CY7C25702KV18-550BZXC

Микросхема CY7C25702KV18-550BZXC Cypress Semiconductor Corp

• Тип: SRAM (память с непрерывным адресованием)
• Объем: 72 Мбит (9 Мбайт)
• Интерфейс: параллельный
• Количество битов на выводе: 165
• Форм-фактор: 165_FBGA (165-пиновый многофутеровый гибкий пакет)

Основные параметры:

• Частота работы: до 133 МГц
• Питание: 2.5 В
• Время доступа: 4 нс
• Поддержка ECC: нет
• Тип кэша: нет

Плюсы:

• Высокая скорость доступа
• Большой объем памяти
• Устойчивость к битовым ошибкам без поддержки ECC
• Подходит для высокопроизводительных систем

Минусы:

• Не поддерживает коррекцию ошибок (ECC)
• Высокое энергопотребление по сравнению с DRAM
• Сложность проектирования из-за большого объема памяти

Общее назначение:

• Хранение временных данных в высокопроизводительных системах
• Буферизация данных для ускорения обработки
• Поддержка быстрых протоколов передачи данных

Применение:

• Системы хранения данных
• Процессоры высокой производительности
• Системы обработки больших объемов информации
• Приложения требующие высокоскоростного доступа к данным