CY7S1041G30-10VXI

Маркировка CY7S1041G30-10VXI, производитель Infineon Technologies, представляет собой микросхему:

• IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

Основные параметры:

• Тип памяти: Синхронная память с запоминанием (SRAM)
• Объем памяти: 4 Мбит (512 КБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Физическая оболочка: 44-пиновая SOJ (Small Outline J-leaded)
• Напряжение питания: 3,3 В

Плюсы:

• Высокая скорость доступа: SRAM имеет быстрый доступ к данным по сравнению с DRAM.
• Стабильность работы: Постоянное питание обеспечивает стабильную работу без необходимости периодического обновления данных.
• Простота использования: Параллельный интерфейс позволяет легко интегрировать память в систему.

Минусы:

• Высокая стоимость: По сравнению с DRAM, SRAM требует большего количества транзисторов для хранения каждого байта информации.
• Высокое энергопотребление: Постоянное питание увеличивает энергопотребление.

Общее назначение:

• Кэш-память: Используется для кэширования часто используемых данных в процессорах и графических адаптерах.
• Данные временного хранения: Хранит временные данные в системах управления, контроллерах и других цифровых устройствах.

В каких устройствах применяется:

• Процессоры: Для кэша данных и инструкций.
• Графические адаптеры: Для хранения временных данных.
• Контроллеры: Для временного хранения данных.
• Системы управления: Для хранения данных, необходимых для выполнения задач.