CY7S1049GE30-10VXI

Маркировка CY7S1049GE30-10VXI, производитель Infineon Technologies, описание микросхемы:

• Тип: Микросхема SRAM (Синхронная случайно доступная память)
• Объем памяти: 4 Мбит (512 КБ)
• Интерфейс: Параллельный
• Количество выводов: 36
• Стандарт питания: 3.3 В
• Форм-фактор: SOJ (Small Outline J-Leaded)

Основные параметры:

• Частота работы: до 100 МГц
• Тип данных: 8 бит
• Тип памяти: Параллельная

Плюсы:

• Высокая скорость доступа к данным, что важно для систем с высокими требованиями к производительности.
• Надежность из-за синхронного характера работы.
• Простота интерфейса, что упрощает разработку и интеграцию в системы.

Минусы:

• Высокая энергопотребляемость по сравнению с асинхронной памятью.
• Занятость шины, так как передача данных происходит параллельно.
• Ограниченная емкость для больших объемов данных.

Общее назначение:

• Буферизация данных в цифровых системах.
• Хранение временных данных.
• Работа с алгоритмами требующими быстрого доступа к данным.

В каких устройствах применяется:

• Компьютерное оборудование.
• Производственное и промышленное оборудование.
• Автомобильные системы.
• Телекоммуникационные устройства.