DGD2103MS8-13

DGD2103MS8-13 Diodes Incorporated Микросхема: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

• Основные параметры:
• Тип:Half-bridge управляющая микросхема
• Количество каналов:2
• Используемые технологии:CMOS
• Напряжение питания:3.3V до 5.5V
• Рабочая температура:-40°C до +125°C
• Пакет:8SO (восьмищипчатый корпус)
• Плюсы:
• Высокая надежность и стабильность работы
• Малый размер и легкость интеграции в дизайн
• Высокое сопротивление импульсным помехам
• Низкий уровень шума
• Экономичное использование энергии
• Минусы:
• Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
• Необходимо правильное проектирование для обеспечения надежности
• Общее назначение:
• Управление полупроводниковыми транзисторами в half-bridge конфигурации
• Применяется для управления мощными нагрузками в различных приложениях
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы управления приводами
• Питание и управление электронными устройствами
• Инверторы и преобразователи
• Стабилизаторы напряжения