Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты - Модули
DMA150YC1600NA
  • В избранное
  • В сравнение
DMA150YC1600NA

DMA150YC1600NA

DMA150YC1600NA
;
DMA150YC1600NA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    DMA150YC1600NA
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 1.6KV SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена DMA150YC1600NA при покупке от 1 шт 7521.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMA150YC1600NA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMA150YC1600NA

DMA150YC1600NA IXYS BRIDGE RECT 1P 1.6KV SOT227B — это полупроводниковый компонент, используемый для конвертации переменного тока в постоянный.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение (VDRM): 1600 В
    • Размеры: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее сложными решениями
    • Требует дополнительной термостабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • В системах управления электропитанием
    • Для преобразователей частоты
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобилей
    • Инверторах для домашнего использования
    • Производственных установках
Выбрано: Показать

Характеристики DMA150YC1600NA

  • Конфигурация диода
    3 Common Anode
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    150A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.21 V @ 50 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 1600 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    DMA150

Техническая документация

 DMA150YC1600NA.pdf
pdf. 0 kb
  • 97 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 521 ₽
  • 3
    6 508 ₽
  • 10
    6 113 ₽
  • 30
    5 497 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    DMA150YC1600NA
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 1.6KV SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена DMA150YC1600NA при покупке от 1 шт 7521.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMA150YC1600NA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMA150YC1600NA

DMA150YC1600NA IXYS BRIDGE RECT 1P 1.6KV SOT227B — это полупроводниковый компонент, используемый для конвертации переменного тока в постоянный.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение (VDRM): 1600 В
    • Размеры: SOT227B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее сложными решениями
    • Требует дополнительной термостабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • В системах управления электропитанием
    • Для преобразователей частоты
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобилей
    • Инверторах для домашнего использования
    • Производственных установках
Выбрано: Показать

Характеристики DMA150YC1600NA

  • Конфигурация диода
    3 Common Anode
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    150A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.21 V @ 50 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 1600 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    DMA150

Техническая документация

 DMA150YC1600NA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VUO110-12NO7BRIDGE RECT 3P 1.2KV 127A PWS-E1
    10 761Кешбэк 1 614 баллов
    VS-100MT160PAPBFBRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A 7MTPB
    7 040Кешбэк 1 056 баллов
    VS-70MT160PBPBFДиод: BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 75A MTK
    7 460Кешбэк 1 119 баллов
    VS-60MT120KPBFДиод: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 60A MT-K
    11 895Кешбэк 1 784 балла
    VS-70MT120KPBFBRIDGE RECT 3P 1.2KV 70A MT-K
    13 155Кешбэк 1 973 балла
    VS-110MT160KPBFBRIDGE RECT 3P 1.6KV 110A MT-K
    13 276Кешбэк 1 991 балл
    VS-90MT120KPBFBRIDGE RECT 3P 1.2KV 90A MT-K
    14 762Кешбэк 2 214 баллов
    VS-130MT120KPBFДиод: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 130A MT-K
    15 309Кешбэк 2 296 баллов
    VS-160MT80KPBFBRIDGE RECT 3P 800V 160A MT-K
    15 757Кешбэк 2 363 балла
    VS-160MT120KPBFДиод: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 160A MT-K
    15 765Кешбэк 2 364 балла
    VS-130MT160KPBFBRIDGE RECT 3P 1.6KV 130A MT-K
    16 433Кешбэк 2 464 балла
    B483H-2TBRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV 35A
    19 337Кешбэк 2 900 баллов
    VUO25-16NO8BRIDGE RECT 3P 1.6KV 25A PWS-E1
    2 669Кешбэк 400 баллов
    VUO25-14NO8BRIDGE RECT 3P 1.4KV 25A PWS-E1
    2 770Кешбэк 415 баллов
    VUO25-12NO8BRIDGE RECT 3P 1.2KV 25A PWS-E1
    2 842Кешбэк 426 баллов
    VUO36-14NO8BRIDGE RECT 3P 1.4KV 27A FO-B
    2 859Кешбэк 428 баллов
    VUO36-12NO8BRIDGE RECT 3P 1.2KV 27A FO-B
    2 859Кешбэк 428 баллов
    VUO36-16NO8BRIDGE RECT 3P 1.6KV 27A FO-B
    3 015Кешбэк 452 балла
    VUO36-18NO8BRIDGE RECT 3P 1.8KV 27A FO-B
    3 100Кешбэк 465 баллов
    VUO68-08NO7BRIDGE RECT 3P 800V 68A ECO-PAC1
    3 243Кешбэк 486 баллов
    VUO68-12NO7BRIDGE RECT 3P 1.2KV 68A ECOPAC1
    3 250Кешбэк 487 баллов
    VUO86-12NO7BRIDGE RECT 3P 1.2KV 86A ECOPAC1
    3 581Кешбэк 537 баллов
    VUO86-16NO7BRIDGE RECT 3P 1.6KV 86A ECOPAC1
    3 592Кешбэк 538 баллов
    VBE55-06NO7BRIDGE RECT 1P 600V 68A ECO-PAC1
    3 695Кешбэк 554 балла
    VBE17-12NO7BRIDGE RECT 1P 1.2KV 19A ECOPAC1
    3 759Кешбэк 563 балла
    VUE75-06NO7BRIDGE RECT 3P 600V 86A ECO-PAC1
    3 824Кешбэк 573 балла
    VUO68-16NO7BRIDGE RECT 3P 1.6KV 68A ECOPAC1
    3 925Кешбэк 588 баллов
    VBO40-12NO6BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227B
    5 165Кешбэк 774 балла
    VUO98-12NO7Диод: BRIDGE RECT 3P 1.2KV ECO-PAC2
    5 182Кешбэк 777 баллов
    VUO52-16NO1Диод: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 54A V1-A
    5 195Кешбэк 779 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП