Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMG2307L-7

DMG2307L-7

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMG2307L-7 при покупке от 1 шт 72 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG2307L-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMG2307L-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    371.3 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    760mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMG2307
Техническая документация
DMG2307L-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 200 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 50
    31.4 ₽
  • 500
    21 ₽
  • 1500
    16.4 ₽
  • 21000
    11.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена DMG2307L-7 при покупке от 1 шт 72 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG2307L-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMG2307L-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    371.3 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    760mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMG2307
Техническая документация
DMG2307L-7.pdf
pdf. 0 kb