Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
DMMT5551-7-F
  • В избранное
  • В сравнение
DMMT5551-7-F

DMMT5551-7-F

DMMT5551-7-F
;
DMMT5551-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMMT5551-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26Все характеристики

Минимальная цена DMMT5551-7-F при покупке от 1 шт 83.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMMT5551-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMMT5551-7-F

DMMT5551-7-F — это транзистор типа TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26. Вот описание его основных параметров, плюсов и минусов, а также общего назначения и областей применения:

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение: 160В
    • Номинальный ток: 0.2А
    • Пакет: SOT26
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса (SOT26)
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Низкий номинальный ток (0.2А)
    • Средний диапазон рабочего напряжения (160В)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Умножение сигналов
    • Переключение электрических цепей
  • Области применения:
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DMMT5551-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual) Matched Pair
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    SOT-26
  • Base Product Number
    DMMT5551

Техническая документация

 DMMT5551-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 1761 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    83 ₽
  • 50
    43 ₽
  • 500
    24.5 ₽
  • 1500
    19 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMMT5551-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26Все характеристики

Минимальная цена DMMT5551-7-F при покупке от 1 шт 83.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMMT5551-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMMT5551-7-F

DMMT5551-7-F — это транзистор типа TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26. Вот описание его основных параметров, плюсов и минусов, а также общего назначения и областей применения:

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение: 160В
    • Номинальный ток: 0.2А
    • Пакет: SOT26
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса (SOT26)
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Низкий номинальный ток (0.2А)
    • Средний диапазон рабочего напряжения (160В)
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Умножение сигналов
    • Переключение электрических цепей
  • Области применения:
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DMMT5551-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual) Matched Pair
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    SOT-26
  • Base Product Number
    DMMT5551

Техническая документация

 DMMT5551-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SCH2102-TL-EТранзистор: BIP PNP+PNP 0.5A 12V
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC847BPDW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
    31Кешбэк 4 балла
    MBT3904DW1T3GТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
    31.4Кешбэк 4 балла
    CPH6538-TL-HTRANS 2NPN 30V 0.7A 6CPH
    33.3Кешбэк 4 балла
    MCH6534-TL-EТранзистор: TRANS 2NPN 15V 0.7A 6MCPH
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC847BDW1T3GДиод: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
    33.3Кешбэк 4 балла
    SMUN5111DW1T1GTRANS 2PNP 50V 0.1A SC88/SC70-6
    34Кешбэк 5 баллов
    BC846BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88/SC70-6
    35Кешбэк 5 баллов
    BC857CDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
    35Кешбэк 5 баллов
    BC848CDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88/SC70-6
    36Кешбэк 5 баллов
    MBT2222ADW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SC88/SC70-6
    37Кешбэк 5 баллов
    BC856BDW1T3GТранзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
    37Кешбэк 5 баллов
    MBT3904DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70-6
    38Кешбэк 5 баллов
    SBC857CDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363
    39Кешбэк 5 баллов
    UMZ1NT1GТранзистор: TRAN NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
    39Кешбэк 5 баллов
    BC847BPDW1T3GДиод: TRAN NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
    41Кешбэк 6 баллов
    SMBT3906DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    BC858CDXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
    43Кешбэк 6 баллов
    EMX1DXV6T1GТранзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
    46Кешбэк 6 баллов
    SBC856BDW1T3GТранзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
    46Кешбэк 6 баллов
    SBC847BPDW1T3GТранзистор: TRAN NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
    48Кешбэк 7 баллов
    SHN1B01FDW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
    48Кешбэк 7 баллов
    SBC846BPDW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    SBC847BDW1T3GДиод: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
    50Кешбэк 7 баллов
    NSVBC847BDW1T2GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
    50Кешбэк 7 баллов
    CPH6539-TL-HТранзистор
    54Кешбэк 8 баллов
    ECH8501-TL-HТранзистор: TRANS NPN/PNP 30V 5A 8ECH
    54Кешбэк 8 баллов
    HN1B01FDW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
    54Кешбэк 8 баллов
    NST3946DP6T5GТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963
    56Кешбэк 8 баллов
    NST857BDP6T5GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
    57Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП