Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
DMTH4M70SPGWQ-13
  • В избранное
DMTH4M70SPGWQ-13

DMTH4M70SPGWQ-13 транзистор MOSFET, N-канал, 40В, 460А, 428Вт

  • В избранное
DMTH4M70SPGWQ-13
DMTH4M70SPGWQ-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMTH4M70SPGWQ-13
  • Описание:
    Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 10053 пФ @ 20 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 40 В, ток стока (Id) 460 А (Tc)Все характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 399 ₽/шт, купить DMTH4M70SPGWQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 345 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена с НДС
  • 1
    2 136 ₽
  • 10
    680 ₽
  • 25
    526 ₽
  • 50
    452 ₽
  • 100
    399 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка

Характеристики

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    460A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.7mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    117.1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10053 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5.6W (Ta), 428W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI8080-5
  • Корпус
    SOT-1235

Техническая документация

 Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

Основные параметры:

  • Наименование: Diodes Incorporated DМТН4М70SPGWQ-13
  • Тип транзистора: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
  • BVDSS (Breakdown Voltage Drain-Source): 31V~40V (напряжение пробоя сток-исток) - это максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между стоком и истоком в выключенном состоянии.
  • Корпус: POWERDI808 - это компактный корпус с хорошими тепловыми характеристиками, предназначенный для поверхностного монтажа.
  • Производитель: Diodes Incorporated - известный производитель полупроводниковых компонентов.

Плюсы:

  • Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Как правило, MOSFET, особенно в корпусах POWERDI, обладают низким RDS(on), что минимизирует потери мощности при работе в качестве ключа.
  • Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) и быстрому переключению, эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность преобразования энергии.
  • Компактный корпус POWERDI808: Обеспечивает экономию места на печатной плате и улучшенное рассеивание тепла.
  • Широкий диапазон применения: Подходит для различных приложений благодаря своим электрическим характеристикам.
  • Надежность: Продукция Diodes Incorporated обычно отличается высоким качеством и надежностью.

Минусы:

  • Относительно невысокое напряжение BVDSS: Диапазон 31V-40V ограничивает применение в высоковольтных цепях.
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, может быть чувствителен к статическому электричеству при монтаже.
  • Требуется драйвер затвора: Для достижения оптимальных характеристик переключения и минимизации потерь часто требуется специализированный драйвер затвора.

Общее назначение:

MOSFET DМТН4М70SPGWQ-13 предназначен для использования в качестве силового ключа или элемента управления в различных электронных схемах. Он идеально подходит для приложений, требующих высокой эффективности, низких потерь мощности и компактных размеров.

В каких устройствах применяется:

  • Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры): Для повышения или понижения напряжения.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП): В цепях управления питанием и переключения.
  • Светодиодное освещение (LED драйверы): Для управления яркостью и питанием светодиодов.
  • Управление двигателями: В схемах управления коллекторными и бесколлекторными двигателями постоянного тока.
  • Зарядные устройства: В качестве коммутирующих элементов для управления процессом зарядки.
  • Портативная электроника: В схемах управления питанием для ноутбуков, планшетов, смартфонов и других устройств с автономным питанием.
  • Автомобильная электроника: В различных системах управления, где требуется эффективное переключение и низкие потери.

Альтернативные маркировки

  • 31-DMTH4M70SPGWQ-13CT
  • 31-DMTH4M70SPGWQ-13DKR
  • 31-DMTH4M70SPGWQ-13DKR-ND
  • 31-DMTH4M70SPGWQ-13TR
  • 31-DMTH4M70SPGWQ-13TR-ND
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП