DMTH6010SCT транзистор MOSFET, N-канал, 60В, 100А, 125Вт

DMTH6010SCT — это непроводящий полупроводниковый транзистор (MOSFET) с нейтрально заряженным каналом, разработанный компанией Diodes Incorporated. Он предназначен для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжениеGBT: 60 В
• Максимальный токGBT: 100 А
• Тип корпуса: TO220-3

• Плюсы:
• Высокая проводимость в "включённом" состоянии
• Низкий коэффициент включения
• Устойчивость к перегрузкам
• Малый размер и легкость корпуса TO220-3

• Минусы:
• Требуется дополнительная защита от перегрева и перенапряжения
• В некоторых случаях может потребоваться дополнительное охлаждение

• Общее назначение:
• Контроль тока в электронных цепях
• Регулирование напряжения
• Переключение высоких токов

• Применение в устройствах:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Электронные блоки питания
• Системы управления силовыми трансформаторами