DN2625DK6-G транзистор полевой, 2 N-канал, 250В, 1.1А, 3.5Ом

DN2625DK6-G Microchip Technology MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение блокировки V_DS(on): 250 В
• Номинальный ток при V_DS(on): 1.1 А
• Тип: MOSFET (MOSFET)
• Монтаж: 8VDFN (8-пиновый VDFN-пакет)
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность благодаря современным технологиям производства.
• Малый размер пакета обеспечивает компактность в дизайне.
• Эффективное управление нагрузкой благодаря низкому напряжению включения.
• Устойчивость к шумам и помехам.
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами.
• Необходимо учитывать тепловые магистрали при использовании на больших токах.
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения и управление электрическими цепями.
• Переключение высоких токов.
• Изоляция сигналов.
• В каких устройствах применяется:
• Блоки питания.
• Системы управления двигателем.
• Мобильные устройства (телефоны, планшеты).
• Автомобильные системы.
• Инверторы.