Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DN2625DK6-G
  • В избранное
  • В сравнение
DN2625DK6-G

DN2625DK6-G

DN2625DK6-G
;
DN2625DK6-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN2625DK6-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFNВсе характеристики

Минимальная цена DN2625DK6-G при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN2625DK6-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN2625DK6-G

DN2625DK6-G Microchip Technology MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 250 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 1.1 А
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Монтаж: 8VDFN (8-пиновый VDFN-пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря современным технологиям производства.
    • Малый размер пакета обеспечивает компактность в дизайне.
    • Эффективное управление нагрузкой благодаря низкому напряжению включения.
    • Устойчивость к шумам и помехам.
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами.
    • Необходимо учитывать тепловые магистрали при использовании на больших токах.
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и управление электрическими цепями.
    • Переключение высоких токов.
    • Изоляция сигналов.
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания.
    • Системы управления двигателем.
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты).
    • Автомобильные системы.
    • Инверторы.
Выбрано: Показать

Характеристики DN2625DK6-G

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 1A, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.04nC @ 1.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1000pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x5)
  • Base Product Number
    DN2625

Техническая документация

 DN2625DK6-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 21908 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    574 ₽
  • 10
    530 ₽
  • 25
    478 ₽
  • 100
    457 ₽
  • 490
    455 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN2625DK6-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFNВсе характеристики

Минимальная цена DN2625DK6-G при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN2625DK6-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN2625DK6-G

DN2625DK6-G Microchip Technology MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 250 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 1.1 А
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Монтаж: 8VDFN (8-пиновый VDFN-пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря современным технологиям производства.
    • Малый размер пакета обеспечивает компактность в дизайне.
    • Эффективное управление нагрузкой благодаря низкому напряжению включения.
    • Устойчивость к шумам и помехам.
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами.
    • Необходимо учитывать тепловые магистрали при использовании на больших токах.
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и управление электрическими цепями.
    • Переключение высоких токов.
    • Изоляция сигналов.
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания.
    • Системы управления двигателем.
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты).
    • Автомобильные системы.
    • Инверторы.
Выбрано: Показать

Характеристики DN2625DK6-G

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 1A, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.04nC @ 1.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1000pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x5)
  • Base Product Number
    DN2625

Техническая документация

 DN2625DK6-G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП