Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DN2625DK6-G

DN2625DK6-G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN2625DK6-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFNВсе характеристики

Минимальная цена DN2625DK6-G при покупке от 1 шт 633 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN2625DK6-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DN2625DK6-G

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 1A, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.04nC @ 1.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1000pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x5)
  • Base Product Number
    DN2625
Техническая документация
DN2625DK6-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 445 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    633 ₽
  • 25
    528 ₽
  • 100
    476 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN2625DK6-G
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFNВсе характеристики

Минимальная цена DN2625DK6-G при покупке от 1 шт 633 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN2625DK6-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DN2625DK6-G

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 1A, 0V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.04nC @ 1.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1000pF @ 25V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (5x5)
  • Base Product Number
    DN2625
Техническая документация
DN2625DK6-G.pdf
pdf. 0 kb