Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DN3525N8-G

DN3525N8-G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DN3525N8-G при покупке от 1 шт 166 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN3525N8-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DN3525N8-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    360mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6Ohm @ 200mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-243AA (SOT-89)
  • Корпус
    TO-243AA
  • Base Product Number
    DN3525
Техническая документация
DN3525N8-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1341 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    166 ₽
  • 25
    142 ₽
  • 2000
    123 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена DN3525N8-G при покупке от 1 шт 166 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN3525N8-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DN3525N8-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    360mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6Ohm @ 200mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-243AA (SOT-89)
  • Корпус
    TO-243AA
  • Base Product Number
    DN3525
Техническая документация
DN3525N8-G.pdf
pdf. 0 kb