Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
DTC115TM3T5G
  • В избранное
  • В сравнение
DTC115TM3T5G

DTC115TM3T5G

DTC115TM3T5G
;
DTC115TM3T5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    DTC115TM3T5G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723Все характеристики

Минимальная цена DTC115TM3T5G при покупке от 1 шт 48.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTC115TM3T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTC115TM3T5G

DTC115TM3T5G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Максимальная мощность: 150мВт
    • Тип корпуса: SOT723
    • Применяется для предсатурационного биаса
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
    • Малый размер корпуса (SOT723)
  • Минусы:
    • Высокие требования к термоподложке при использовании в высокочастотных приложениях
    • Необходимость точного регулирования напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Используется в схемах предсатурационного биаса
    • Подходит для высокочастотных применений
    • Способствует улучшению характеристик линейных усилителей
  • В каких устройствах применяется:
    • Линейные усилители
    • Аналоговые радиоприемники
    • Радиостанции
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DTC115TM3T5G

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    260 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    SOT-723
  • Base Product Number
    DTC115

Техническая документация

 DTC115TM3T5G.pdf
pdf. 0 kb
  • 535500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    48 ₽
  • 8000
    7.8 ₽
  • 20000
    5.5 ₽
  • 40000
    6.3 ₽
  • 80000
    5.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    DTC115TM3T5G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723Все характеристики

Минимальная цена DTC115TM3T5G при покупке от 1 шт 48.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTC115TM3T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTC115TM3T5G

DTC115TM3T5G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Максимальная мощность: 150мВт
    • Тип корпуса: SOT723
    • Применяется для предсатурационного биаса
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
    • Малый размер корпуса (SOT723)
  • Минусы:
    • Высокие требования к термоподложке при использовании в высокочастотных приложениях
    • Необходимость точного регулирования напряжения питания
  • Общее назначение:
    • Используется в схемах предсатурационного биаса
    • Подходит для высокочастотных применений
    • Способствует улучшению характеристик линейных усилителей
  • В каких устройствах применяется:
    • Линейные усилители
    • Аналоговые радиоприемники
    • Радиостанции
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DTC115TM3T5G

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    260 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    SOT-723
  • Base Product Number
    DTC115

Техническая документация

 DTC115TM3T5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BCR198E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    44Кешбэк 6 баллов
    BCR183WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR141WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR183E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
    44Кешбэк 6 баллов
    BCR 129 E6327BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    65Кешбэк 9 баллов
    BCR135WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    9.2Кешбэк 1 балл
    BCR133WH6327XTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
    13Кешбэк 1 балл
    BCR503E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BCR523E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    BCR135E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    44Кешбэк 6 баллов
    BCR112E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    42.6Кешбэк 6 баллов
    BCR533E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    42.4Кешбэк 6 баллов
    BCR133E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    42.6Кешбэк 6 баллов
    BCR512E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
    81Кешбэк 12 баллов
    BCR141E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3
    52Кешбэк 7 баллов
    MUN2132T1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
    56Кешбэк 8 баллов
    SMUN5214T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    70Кешбэк 10 баллов
    MMUN2231LT1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    29.6Кешбэк 4 балла
    FJV3105RMTFТранзистор: 0.1A, 50V, NPN
    1.85Кешбэк 1 балл
    SMUN5114T3GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
    35Кешбэк 5 баллов
    DTA144EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    9.2Кешбэк 1 балл
    DTC144WM3T5GTRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    9.2Кешбэк 1 балл
    NSBA143ZF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    11Кешбэк 1 балл
    DTA114YM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    35Кешбэк 5 баллов
    DTC115TM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
    48Кешбэк 7 баллов
    DTC143TET1TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    FJV3114RMTF
    5.5Кешбэк 1 балл
    DTA123EM3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
    65Кешбэк 9 баллов
    NSBA123JF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    11Кешбэк 1 балл
    NSBC123EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    24Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП