DTC115TM3T5G транзистор, NPN - Pre-Biased, 100 мА, 50 В, 260 мВт

DTC115TM3T5G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

• Основные параметры:
• Тип: NPN
• Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
• Максимальная мощность: 150мВт
• Тип корпуса: SOT723
• Применяется для предсатурационного биаса
• Плюсы:
• Высокая надежность
• Устойчивость к перегреву
• Долгий срок службы
• Малый размер корпуса (SOT723)
• Минусы:
• Высокие требования к термоподложке при использовании в высокочастотных приложениях
• Необходимость точного регулирования напряжения питания
• Общее назначение:
• Используется в схемах предсатурационного биаса
• Подходит для высокочастотных применений
• Способствует улучшению характеристик линейных усилителей
• В каких устройствах применяется:
• Линейные усилители
• Аналоговые радиоприемники
• Радиостанции
• Мобильные устройства