Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
EFC4618R-P-TR
EFC4618R-P-TR

EFC4618R-P-TR

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EFC4618R-P-TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH EFCP1818Все характеристики

Минимальная цена EFC4618R-P-TR при покупке от 1212 шт 47.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EFC4618R-P-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EFC4618R-P-TR

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.4nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    1.6W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-XFBGA, FCBGA
  • Исполнение корпуса
    EFCP1818-4CC-037
  • Base Product Number
    EFC4618
Техническая документация
 EFC4618R-P-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 538171 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1212
    47 ₽

Минимально и кратно 1212 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EFC4618R-P-TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH EFCP1818Все характеристики

Минимальная цена EFC4618R-P-TR при покупке от 1212 шт 47.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EFC4618R-P-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EFC4618R-P-TR

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.4nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    1.6W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-XFBGA, FCBGA
  • Исполнение корпуса
    EFCP1818-4CC-037
  • Base Product Number
    EFC4618
Техническая документация
 EFC4618R-P-TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDC6305NТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
    155Кешбэк 23 балла
    SSM6L35FU(TE85L,F)Транзистор
    85Кешбэк 12 баллов
    SI3900DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
    281Кешбэк 42 балла
    BSD223PH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
    71Кешбэк 10 баллов
    FDC6420CТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
    155Кешбэк 23 балла
    ECH8695R-TL-WТранзистор: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
    83Кешбэк 12 баллов
    FDMD8900Транзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
    151Кешбэк 22 балла
    ZDM4306NTAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
    137Кешбэк 20 баллов
    SH8M41TB1Транзистор: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
    389Кешбэк 58 баллов
    ZXMHC10A07T8TAТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
    507Кешбэк 76 баллов
    SLA5201Транзистор: MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP
    1 113Кешбэк 166 баллов
    SI7234DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
    743Кешбэк 111 баллов
    ECH8657-TL-HТранзистор: MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH
    192Кешбэк 28 баллов
    AON6816Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17A DFN5X6
    290Кешбэк 43 балла
    NTMD2C02R2GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
    92Кешбэк 13 баллов
    SI4202DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
    364Кешбэк 54 балла
    IRF3546MTRPBFТранзистор: MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
    666Кешбэк 99 баллов
    AO4614BТранзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    168Кешбэк 25 баллов
    NTHD3100CT1GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
    294Кешбэк 44 балла
    PMDPB95XNE2XТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON
    117Кешбэк 17 баллов
    SI4931DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
    432Кешбэк 64 балла
    SI6954ADQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
    262Кешбэк 39 баллов
    SI1023CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
    64Кешбэк 9 баллов
    HS8K11TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
    189Кешбэк 28 баллов
    IPG20N06S2L35AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
    373Кешбэк 55 баллов
    QS6K1TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
    189Кешбэк 28 баллов
    CSD86330Q3DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
    296Кешбэк 44 балла
    DMN63D8LV-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
    57Кешбэк 8 баллов
    BSG0813NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
    545Кешбэк 81 балл
    DMP4047SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC
    207Кешбэк 31 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП