EL7156CSZ

EL7156CSZ Renesas Electronics Corporation микросхема: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

• Основные параметры:
• Тип: усилитель уровня для управления полупроводниковыми транзисторами
• Поддержка двух сторон: высокий и низкий уровень
• Количество входов: 2
• Форм-фактор: 8SOIC (Surface Mount Technology)
• Рабочее напряжение: от 4,5 В до 36 В
• Скорость работы: до 10 МГц
• Максимальная токовая нагрузка: 3 А на каждый выход
• Плюсы:
• Устойчивость к электрическим помехам
• Высокая скорость перехода
• Малый размер и легкость установки благодаря 8SOIC
• Устойчивость к перепадам напряжения
• Минусы:
• Необходимо дополнительное проектирование для защиты от обратного напряжения
• Могут возникать проблемы с тепловым дизайном при больших токовых нагрузках
• Общее назначение:
• Управление полупроводниковыми транзисторами в системах управления
• Импульсно-последовательное управление электроприводами
• Управление индуктивными нагрузками
• Применение в устройствах:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Индустриальные приводы и системы автоматизации
• Системы управления освещением
• Электронные устройства для управления мощностью