EM6HB16EWKA-12H модуль памяти, DDR3L SDRAM, 512Мбит, 800МГц, 1.283В ~ 1.45В

EM6HB16EWKA-12H от Etron Technology, Inc.

• Тип: Микросхема DRAM DDR3
• Объем памяти: 512 МБ (32М × 16)
• Количество выводов: 96-BALL FBGA

Основные параметры:

• Тип интерфейса: DDR3
• Частота работы: до 1333 MHz
• Напряжение питания: 1.5 V
• Пакетная шина: 16 бит
• Форм-фактор: 96-BALL FBGA

Плюсы:

• Высокая плотность памяти в сравнении с аналогичными моделями более ранних поколений.
• Устойчивость к помехам благодаря технологии DDR3.
• Экономичное энергопотребление.
• Поддержка высокой скорости передачи данных.

Минусы:

• Необходимо соответствие требуемым требованиям по интерфейсу DDR3.
• Стоимость может быть выше по сравнению с более простыми моделями.

Общее назначение:

• Использование в серверах и рабочих станциях для обработки больших объемов данных.
• Применение в системах хранения информации.
• Поддержка многозадачности и высокой производительности в различных приложениях.

В каких устройствах применяется:

• Серверы.
• Рабочие станции.
• Системы хранения данных.
• Профессиональное оборудование для обработки больших объемов информации.