EM6HE08EW9G-10IH

Это микросхема памяти DDR3 от компании Etron Technology, Inc. с объемом 4 ГБ (512М × 8).

• Количество пинов: 78
• Форм-фактор: WINDO (Wind Over Die)

Основные параметры:

• Тип памяти: DDR3
• Объем: 4 ГБ (512М × 8)
• Напряжение питания: 1.5 В
• Частота работы: до 1333 МГц
• Шина данных: 64 бита

Плюсы:

• Высокая производительность
• Малый размер и энергопотребление
• Устойчивость к ошибкам

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с более старыми технологиями
• Не подходит для всех современных систем, требует соответствующего разъема и контроллера

Общее назначение:

• Используется в ноутбуках и настольных компьютерах для увеличения объема оперативной памяти
• Подходит для систем, требующих высокой скорости обработки данных

Применяется в:

• Ноутбуках
• Настольных компьютерах
• Серверах
• Профессиональных системах для обработки больших объемов данных