EM6OE16NWAKA-07H модуль памяти, DDR4 SDRAM, 4Гб, 1.333ГГц, 1.14В ~ 1.26В

EM6OE16NWAKA-07H от Etron Technology, Inc.

• Тип: Микросхема DRAM DDR4
• Объем памяти: 4 ГБ (256Мx16)
• Количество контактов: 96-BALL WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package)

Основные параметры:

• Напряжение питания: 1.2 В
• Частота: до 2666 МГц
• Интерфейс: DDR4-2666

Плюсы:

• Высокая скорость передачи данных
• Энергоэффективность
• Малый размер
• Надежность благодаря WLCSP технологии

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти
• Требует точной настройки и поддержки оборудования

Общее назначение:

• Увеличение объема оперативной памяти в компьютерах и серверах
• Ускорение работы программ и приложений, требующих больших объемов оперативной памяти

Применяется в:

• Личных компьютерах и ноутбуках
• Серверах
• Профессиональном оборудовании
• Телекоммуникационных системах