Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDMA291P
FDMA291P

FDMA291P

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDMA291P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFETВсе характеристики

Минимальная цена FDMA291P при покупке от 1 шт 136.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMA291P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDMA291P

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42mOhm @ 6.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-MicroFET (2x2)
  • Корпус
    6-WDFN Exposed Pad
Техническая документация
 FDMA291P.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1332 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    136 ₽
  • 100
    66 ₽
  • 1000
    45 ₽
  • 6000
    36 ₽
  • 15000
    32.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDMA291P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFETВсе характеристики

Минимальная цена FDMA291P при покупке от 1 шт 136.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMA291P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDMA291P

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42mOhm @ 6.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-MicroFET (2x2)
  • Корпус
    6-WDFN Exposed Pad
Техническая документация
 FDMA291P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF730ASTRLPBFMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
    IXTT36N50PMOSFET N-CH 500V 36A TO268
    TK8A65D(STA4,Q,M)Транзистор: MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
    STL26NM60N
    DMN3051L-7MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
    BSS606NH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
    STL3N10F7MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
    2N7002T-7-FТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
    IXTX46N50LMOSFET N-CH 500V 46A PLUS247-3
    IXFX80N50Q3MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3
    FDBL0330N80MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
    DMP22M2UPS-13MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
    SUP53P06-20-E3MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
    NP83P04PDG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 83A TO-263
    BTS244ZE3062AATMA2MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
    FDP8443MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
    IXTP1R4N100PMOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
    SIA461DJ-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
    FCH070N60EMOSFET N-CH 600V 52A TO247
    PSMN3R0-30YLDXТранзистор: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    HUF76407D3MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
    STW50N65DM2AGMOSFET N-CH 650V 28A TO247
    FDMA86551LMOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
    BUK752R7-60E,127MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    FQPF19N20T11.8A, 200V, 0.15OHM, N CHANNEL
    SUD50P06-15L-T4-E3MOSFET P-CH 60V 50A TO252
    NTA4153NT1GMOSFET N-CH 20V 915MA SC75
    FDS3512MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
    IRF6785MTRPBFMOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
    RJK0395DPA-00#J53MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП