Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
FDS6930B
  • В избранное
  • В сравнение
FDS6930B

FDS6930B

FDS6930B
;
FDS6930B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDS6930B
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS6930B при покупке от 1 шт 197.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6930B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6930B

FDS6930B — это MOSFET с низким напряжением гатода (Vgs(th)) и высокими характеристиками для применения в различных электронных устройствах. Основные параметры:

  • Vds(max): 30 В
  • I(d(on)): 5.5 А
  • Package: 8SOIC

Плюсы:

  • Низкий напряжения гатода (Vgs(th)) обеспечивает хорошую работу при низких напряжениях питания.
  • Высокий ток проводимости (I(d(on))) позволяет передавать значительные токи.
  • Малый размер корпуса (8SOIC) упрощает монтаж и уменьшает тепловые потери.

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение из-за возможного увеличения температуры при высоких нагрузках.
  • В некоторых случаях может потребоваться дополнительная защита от перенапряжений.

Общее назначение: FDS6930B используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Питание периферийного оборудования
  • Реверсивные системы
  • Приводы шаговых двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6930B

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    412pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    900mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    FDS6930

Техническая документация

 FDS6930B.pdf
pdf. 0 kb
  • 19 шт
    в наличии
  • Количество
    Цена
  • 1
    197 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDS6930B
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS6930B при покупке от 1 шт 197.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6930B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6930B

FDS6930B — это MOSFET с низким напряжением гатода (Vgs(th)) и высокими характеристиками для применения в различных электронных устройствах. Основные параметры:

  • Vds(max): 30 В
  • I(d(on)): 5.5 А
  • Package: 8SOIC

Плюсы:

  • Низкий напряжения гатода (Vgs(th)) обеспечивает хорошую работу при низких напряжениях питания.
  • Высокий ток проводимости (I(d(on))) позволяет передавать значительные токи.
  • Малый размер корпуса (8SOIC) упрощает монтаж и уменьшает тепловые потери.

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение из-за возможного увеличения температуры при высоких нагрузках.
  • В некоторых случаях может потребоваться дополнительная защита от перенапряжений.

Общее назначение: FDS6930B используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Питание периферийного оборудования
  • Реверсивные системы
  • Приводы шаговых двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6930B

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    412pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    900mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    FDS6930

Техническая документация

 FDS6930B.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП