Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDS6930B

FDS6930B

FDS6930B
;
FDS6930B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDS6930B при покупке от 1 шт 187.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6930B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6930B

FDS6930B — это MOSFET с низким напряжением гатода (Vgs(th)) и высокими характеристиками для применения в различных электронных устройствах. Основные параметры:

  • Vds(max): 30 В
  • I(d(on)): 5.5 А
  • Package: 8SOIC

Плюсы:

  • Низкий напряжения гатода (Vgs(th)) обеспечивает хорошую работу при низких напряжениях питания.
  • Высокий ток проводимости (I(d(on))) позволяет передавать значительные токи.
  • Малый размер корпуса (8SOIC) упрощает монтаж и уменьшает тепловые потери.

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение из-за возможного увеличения температуры при высоких нагрузках.
  • В некоторых случаях может потребоваться дополнительная защита от перенапряжений.

Общее назначение: FDS6930B используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Питание периферийного оборудования
  • Реверсивные системы
  • Приводы шаговых двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6930B

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    412pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    900mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    FDS6930

Техническая документация

FDS6930B.pdf
pdf. 0 kb
  • 19 шт
    в наличии
  • Количество
    Цена
  • 1
    187 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDS6930B при покупке от 1 шт 187.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6930B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6930B

FDS6930B — это MOSFET с низким напряжением гатода (Vgs(th)) и высокими характеристиками для применения в различных электронных устройствах. Основные параметры:

  • Vds(max): 30 В
  • I(d(on)): 5.5 А
  • Package: 8SOIC

Плюсы:

  • Низкий напряжения гатода (Vgs(th)) обеспечивает хорошую работу при низких напряжениях питания.
  • Высокий ток проводимости (I(d(on))) позволяет передавать значительные токи.
  • Малый размер корпуса (8SOIC) упрощает монтаж и уменьшает тепловые потери.

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение из-за возможного увеличения температуры при высоких нагрузках.
  • В некоторых случаях может потребоваться дополнительная защита от перенапряжений.

Общее назначение: FDS6930B используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Питание периферийного оборудования
  • Реверсивные системы
  • Приводы шаговых двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6930B

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    412pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    900mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    FDS6930

Техническая документация

FDS6930B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории