Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT транзисторы
FGD3440G2-F085
  • В избранное
  • В сравнение
FGD3440G2-F085

FGD3440G2-F085

FGD3440G2-F085
;
FGD3440G2-F085

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FGD3440G2-F085
  • Описание:
    IGBT 400V 26.9A TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена FGD3440G2-F085 при покупке от 1 шт 595.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGD3440G2-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGD3440G2-F085

Размеры и производитель:

  • Маркировка: FGD3440G2-F085
  • Производитель: ONSEMI

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 400В
  • Номинальный ток: 26.9А
  • Форм-фактор: TO252AA

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Высокая скорость переключения, что улучшает эффективность работы системы.
  • Устойчивость к тепловым воздействиям, что обеспечивает безопасную работу даже при повышенных температурах.
  • Экономичность в энергопотреблении.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными IGBT модулями.
  • Требует более сложной системы охлаждения из-за высокой мощности.

Общее назначение:

  • Используется в различных приборах и системах, где требуется управляемое включение и выключение электрического тока.
  • Применяется в промышленных преобразователях частоты (инверторах), электроприводах, системах управления двигателем.
  • Используется в системах управления нагрузками в автомобилях и гибридных автомобилях.

В каких устройствах применяется:

  • Преобразователи частоты (инверторы) для промышленного оборудования.
  • Электроприводы для станков и станков.
  • Системы управления двигателями в транспортной отрасли.
  • Автомобильные системы управления нагрузками.
  • Системы регулирования напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики FGD3440G2-F085

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    26.9 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.2V @ 4V, 6A
  • Рассеивание мощности
    166 W
  • Тип входа
    Logic
  • Заряд затвора
    24 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -/5.3µs
  • Условие испытаний
    300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Base Product Number
    FGD3440

Техническая документация

 FGD3440G2-F085.pdf
pdf. 0 kb
  • 14830 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    595 ₽
  • 10
    384 ₽
  • 100
    284 ₽
  • 500
    213 ₽
  • 1000
    184 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FGD3440G2-F085
  • Описание:
    IGBT 400V 26.9A TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена FGD3440G2-F085 при покупке от 1 шт 595.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGD3440G2-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGD3440G2-F085

Размеры и производитель:

  • Маркировка: FGD3440G2-F085
  • Производитель: ONSEMI

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 400В
  • Номинальный ток: 26.9А
  • Форм-фактор: TO252AA

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
  • Высокая скорость переключения, что улучшает эффективность работы системы.
  • Устойчивость к тепловым воздействиям, что обеспечивает безопасную работу даже при повышенных температурах.
  • Экономичность в энергопотреблении.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными IGBT модулями.
  • Требует более сложной системы охлаждения из-за высокой мощности.

Общее назначение:

  • Используется в различных приборах и системах, где требуется управляемое включение и выключение электрического тока.
  • Применяется в промышленных преобразователях частоты (инверторах), электроприводах, системах управления двигателем.
  • Используется в системах управления нагрузками в автомобилях и гибридных автомобилях.

В каких устройствах применяется:

  • Преобразователи частоты (инверторы) для промышленного оборудования.
  • Электроприводы для станков и станков.
  • Системы управления двигателями в транспортной отрасли.
  • Автомобильные системы управления нагрузками.
  • Системы регулирования напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики FGD3440G2-F085

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    26.9 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.2V @ 4V, 6A
  • Рассеивание мощности
    166 W
  • Тип входа
    Logic
  • Заряд затвора
    24 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -/5.3µs
  • Условие испытаний
    300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Base Product Number
    FGD3440

Техническая документация

 FGD3440G2-F085.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGTV00TK65DGC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 658Кешбэк 248 баллов
    RGTVX2TS65DGC11Транзистор: 650V 60A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 704Кешбэк 255 баллов
    RGS80TS65DHRC11Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 751Кешбэк 262 балла
    RGS50TSX2DGC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 751Кешбэк 262 балла
    RGS50TSX2DHRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 759Кешбэк 263 балла
    RGTVX6TS65DGC11Транзистор: IGBT
    1 917Кешбэк 287 баллов
    RGS00TS65EHRC11Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 930Кешбэк 289 баллов
    RGT50TS65DGC13Транзистор: 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 977Кешбэк 296 баллов
    RGC80TSX8RGC11Транзистор: IGBT
    1 989Кешбэк 298 баллов
    RGT60TS65DGC13Транзистор: 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    2 086Кешбэк 312 баллов
    RGS80TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    2 109Кешбэк 316 баллов
    RGS80TSX2HRC11Транзистор: 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    2 232Кешбэк 334 балла
    RGS80TSX2DGC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    2 492Кешбэк 373 балла
    RGS80TSX2DHRC11Транзистор: 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    2 663Кешбэк 399 баллов
    RGW80TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    2 753Кешбэк 412 баллов
    WG50N65DHWQТранзистор: IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247
    866Кешбэк 129 баллов
    AOD5B65N1Транзистор: IGBT 650V 5A TO252
    156Кешбэк 23 балла
    AOTF10B60D2Транзистор: IGBT 600V 10A TO-220F
    245Кешбэк 36 баллов
    AOK40B65H2ALТранзистор: IGBT 650V 40A TO-247
    412Кешбэк 61 балл
    AOK50B65H1Транзистор: IGBT 650V 50A TO-247
    785Кешбэк 117 баллов
    AOK30B120D2Транзистор: IGBT 1200V 30A TO-247
    927Кешбэк 139 баллов
    AOK75B65H1Транзистор: IGBT 650V 75A TO-247
    1 045Кешбэк 156 баллов
    NTE3300Транзистор: IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
    1 565Кешбэк 234 балла
    RJP4005ANS-01#Q1Транзистор: IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
    287Кешбэк 43 балла
    RJP6055DPP-90#T2Транзистор: IGBT 630V, 40A FOR PLASMA TV
    332Кешбэк 49 баллов
    RJP43F4ADPP-90#T2FТранзистор: IGBT 430V, 40A FOR PLASMA TV
    431Кешбэк 64 балла
    RJP63F3ADPP-B1#T2FТранзистор: N CH IGBT
    460Кешбэк 69 баллов
    RJP43F4ADPP-MB#T2FТранзистор: IGBT 430V, 40A FOR PLASMA TV
    538Кешбэк 80 баллов
    RJP63F3DPP-Z0#T2Транзистор: N CH IGBT
    547Кешбэк 82 балла
    RJP65T43DPQ-A0#T2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
    1 717Кешбэк 257 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторные модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП