Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки IGBT-транзисторов
FII24N170AH1
  • В избранное
  • В сравнение
FII24N170AH1

FII24N170AH1

FII24N170AH1
  • Артикул:
    FII24N170AH1
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5Все характеристики

Минимальная цена FII24N170AH1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FII24N170AH1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FII24N170AH1

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    18 A
  • Рассеивание мощности
    140 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    6V @ 15V, 16A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    2.4 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-4, Isolated
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™

Техническая документация

 FII24N170AH1.pdf
pdf. 0 kb
  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    FII24N170AH1
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5Все характеристики

Минимальная цена FII24N170AH1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FII24N170AH1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FII24N170AH1

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    18 A
  • Рассеивание мощности
    140 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    6V @ 15V, 16A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    2.4 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-4, Isolated
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™

Техническая документация

 FII24N170AH1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП