Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
FII30-06D
FII30-06D

FII30-06D

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Артикул:
    FII30-06D
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5Все характеристики

Минимальная цена FII30-06D при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FII30-06D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FII30-06D

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Рассеивание мощности
    100 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 20A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    600 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.1 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-5
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™
Техническая документация
 FII30-06D.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    FII30-06D
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5Все характеристики

Минимальная цена FII30-06D при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FII30-06D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FII30-06D

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Рассеивание мощности
    100 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 20A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    600 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.1 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-5
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™
Техническая документация
 FII30-06D.pdf
pdf. 0 kb

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП