Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
FII30-12E
  • В избранное
  • В сравнение
FII30-12E

FII30-12E

FII30-12E
  • Артикул:
    FII30-12E
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5Все характеристики

Минимальная цена FII30-12E при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FII30-12E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FII30-12E

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    33 A
  • Рассеивание мощности
    150 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.9V @ 15V, 20A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.2 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-5
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™

Техническая документация

 FII30-12E.pdf
pdf. 0 kb
  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    FII30-12E
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5Все характеристики

Минимальная цена FII30-12E при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FII30-12E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FII30-12E

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    33 A
  • Рассеивание мощности
    150 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.9V @ 15V, 20A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.2 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-5
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™

Техническая документация

 FII30-12E.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП