Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
FII40-06D
  • В избранное
  • В сравнение
FII40-06D

FII40-06D

FII40-06D
;
FII40-06D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Артикул:
    FII40-06D
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5Все характеристики

Минимальная цена FII40-06D при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FII40-06D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FII40-06D

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Рассеивание мощности
    125 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 25A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    600 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.6 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-5
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™

Техническая документация

 FII40-06D.pdf
pdf. 0 kb
  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    FII40-06D
  • Описание:
    IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5Все характеристики

Минимальная цена FII40-06D при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FII40-06D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FII40-06D

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Рассеивание мощности
    125 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 25A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    600 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    1.6 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    i4-Pac™-5
  • Исполнение корпуса
    ISOPLUS i4-PAC™

Техническая документация

 FII40-06D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды силовые
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторные модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП