FMG1G50US60L IGBT-модуль, N-канал, 600В, 50А, 250Вт

FMG1G50US60L Fairchild Semiconductor Транзистор: IGBT

• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Рейтинг тока: 50A
• Рейтинг напряжения: 600V
• Тип поля: N-CHANNEL

Основные параметры:

• Питание: 12В для управления
• Управляемый: через гейт (G) относительно источника (S)
• Эффективность: высокая при работе в режиме сверхпереключения
• Тепловое сопротивление: 4.2°C/W (при 25°C)

Плюсы:

• Высокая эффективность
• Низкий коэффициент включения
• Высокая надежность
• Легкость управления

Минусы:

• Высокие затраты на производство
• Требуются дополнительные компоненты для защиты
• Затруднен переход от режима включения к выключению и обратно

Общее назначение:

• Применяется в системах регулирования напряжения и мощности
• Используется в промышленных преобразователях частоты
• Выполняет функцию блокировки в схемах управления двигателем
• Участвует в создании инверторов для солнечных батарей

В каких устройствах применяется:

• Автомобильных системах управления двигателем
• Промышленных электроприводах
• Системах управления тепловой энергией
• Солнечных панелях и системах хранения энергии