FMG1G50US60L Fairchild Semiconductor Транзистор: IGBT
- Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Рейтинг тока: 50A
- Рейтинг напряжения: 600V
- Тип поля: N-CHANNEL
Основные параметры:
- Питание: 12В для управления
- Управляемый: через гейт (G) относительно источника (S)
- Эффективность: высокая при работе в режиме сверхпереключения
- Тепловое сопротивление: 4.2°C/W (при 25°C)
Плюсы:
- Высокая эффективность
- Низкий коэффициент включения
- Высокая надежность
- Легкость управления
Минусы:
- Высокие затраты на производство
- Требуются дополнительные компоненты для защиты
- Затруднен переход от режима включения к выключению и обратно
Общее назначение:
- Применяется в системах регулирования напряжения и мощности
- Используется в промышленных преобразователях частоты
- Выполняет функцию блокировки в схемах управления двигателем
- Участвует в создании инверторов для солнечных батарей
В каких устройствах применяется:
- Автомобильных системах управления двигателем
- Промышленных электроприводах
- Системах управления тепловой энергией
- Солнечных панелях и системах хранения энергии