IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Fairchild Semiconductor FP7G50US60
- Основные параметры:
- Максимальное напряжение вCollector-Emitter (VCEO) - 600 В
- Размерный ток (Imax) - 50 А
- Тип тока (Ton) - 125°C
- Плюсы:
- Высокая эффективность в работе
- Малое сопротивление при включенном состоянии
- Простота управления благодаря структуре MOSFET
- Высокая надежность и долговечность
- Минусы:
- Высокие потери при частоте работы выше 20 кГц
- Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
- Общее назначение:
- Регулирование напряжения и мощности в различных приборах
- Контроль тока в электропитании устройств
- Использование в инверторах и преобразователях
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильных системах питания
- Промышленных преобразователях частоты
- Электронных системах управления двигателей
- Инверторах для бытовых приборов
- Системах энергосбережения и управления энергией