Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQA9N90C-F109

FQA9N90C-F109

FQA9N90C-F109
;
FQA9N90C-F109

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQA9N90C-F109 при покупке от 1 шт 660.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQA9N90C-F109 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQA9N90C-F109

Маркировка FQA9N90C-F109, производитель ON SEMICONDUCTOR

  • MOSFET N-ЧИСТЫЙ 900В 9А TO3P

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 900 В
  • Номинальный ток (ID(on)): 9 А
  • Тип: N-чистый MOSFET
  • Пакет: TO3P

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному исполнению и использованию современных технологий производства.
  • Высокая скорость переключения за счет низкого времени транзистора (trrmss) и низкой емкости.
  • Высокая термическая стабильность благодаря использованию пакета TO3P с хорошей теплопроводностью.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями.
  • Требует внимания при проектировании из-за специфических требований к охлаждению и защитным цепям.

Общее назначение:

  • Контроль питания в различных электронных устройствах.
  • Регулирование напряжения и управление током в системах питания.
  • Переключение высоких напряжений при минимальных потерях энергии.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления.
  • Промышленное оборудование.
  • Электронные устройства бытовой техники.
  • Системы управления двигателем.
  • Сетевые адаптеры и преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики FQA9N90C-F109

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2730 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    280W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Base Product Number
    FQA9

Техническая документация

FQA9N90C-F109.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    в наличии
  • Количество
    Цена
  • 1
    660 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQA9N90C-F109 при покупке от 1 шт 660.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQA9N90C-F109 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQA9N90C-F109

Маркировка FQA9N90C-F109, производитель ON SEMICONDUCTOR

  • MOSFET N-ЧИСТЫЙ 900В 9А TO3P

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 900 В
  • Номинальный ток (ID(on)): 9 А
  • Тип: N-чистый MOSFET
  • Пакет: TO3P

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному исполнению и использованию современных технологий производства.
  • Высокая скорость переключения за счет низкого времени транзистора (trrmss) и низкой емкости.
  • Высокая термическая стабильность благодаря использованию пакета TO3P с хорошей теплопроводностью.

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с менее мощными моделями.
  • Требует внимания при проектировании из-за специфических требований к охлаждению и защитным цепям.

Общее назначение:

  • Контроль питания в различных электронных устройствах.
  • Регулирование напряжения и управление током в системах питания.
  • Переключение высоких напряжений при минимальных потерях энергии.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания и управления.
  • Промышленное оборудование.
  • Электронные устройства бытовой техники.
  • Системы управления двигателем.
  • Сетевые адаптеры и преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики FQA9N90C-F109

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 4.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2730 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    280W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-3P
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Base Product Number
    FQA9

Техническая документация

FQA9N90C-F109.pdf
pdf. 0 kb
Доставка