G3R350MT12D транзистор полевой, SIC MOSFET, N-канал, 1200В, 11А

G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor Inc. SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3 — это полупроводниковый транзистор с высоким классом мощности, использующий технологию SiC (сапфирного кремния).

• Основные параметры:
• Рейтингный ток: 11 А
• Рейтингное напряжение: 350 В
• Тип: N-канальный MOSFET
• Монтажный тип: TO247-3
• Плюсы:
• Высокая скорость включения и выключения
• Низкий коэффициент дросселирования
• Высокая термостойкость
• Низкое сопротивление при прохождении тока
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
• Требуется специальное оборудование для монтажа
• Общее назначение:
• Использование в высоковольтных и высокомощных электронных системах
• Применяется в инверторах, преобразователях напряжения, трансформаторах питания
• Подходит для трансиверов и других устройств с высокими требованиями к скорости и мощности
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
• Системы управления двигателем
• Передатчики радиочастотной связи
• Высокомощные источники питания