Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ2010-F
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ2010-F

GBJ2010-F диодный мост, Single Phase, 1кВ, 20А, 1.05В

GBJ2010-F
;
GBJ2010-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2010-F
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2010-F при покупке от 1 шт 552.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2010-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2010-F

GBJ2010-F Diodes Incorporated Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ

  • Основные параметры:
    • Тип: мостовой диод
    • Фаза: однофазная
    • Номинальное напряжение: 1 кВ
    • Рейтингный ток: 20 А
    • Марка: GBJ
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (1 кВ)
    • Высокий рейтингный ток (20 А)
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при работе с максимальным током
    • Могут быть ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Передача переменного тока в постоянный для различных электронных устройств
    • Защита электронной аппаратуры от обратного напряжения
    • Уменьшение колебаний напряжения
  • Применение:
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Инверторы
    • Системы питания для бытовой техники
    • Электропитание для компьютерных систем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2010-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2010

Техническая документация

 GBJ2010-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 7 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    552 ₽
  • 10
    293 ₽
  • 105
    251 ₽
  • 510
    210 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2010-F
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2010-F при покупке от 1 шт 552.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2010-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2010-F

GBJ2010-F Diodes Incorporated Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ

  • Основные параметры:
    • Тип: мостовой диод
    • Фаза: однофазная
    • Номинальное напряжение: 1 кВ
    • Рейтингный ток: 20 А
    • Марка: GBJ
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (1 кВ)
    • Высокий рейтингный ток (20 А)
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при работе с максимальным током
    • Могут быть ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Передача переменного тока в постоянный для различных электронных устройств
    • Защита электронной аппаратуры от обратного напряжения
    • Уменьшение колебаний напряжения
  • Применение:
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Инверторы
    • Системы питания для бытовой техники
    • Электропитание для компьютерных систем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2010-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2010

Техническая документация

 GBJ2010-F.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП