Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ2010-F
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ2010-F

GBJ2010-F

GBJ2010-F
;
GBJ2010-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2010-F
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2010-F при покупке от 1 шт 555.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2010-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2010-F

GBJ2010-F Diodes Incorporated Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ

  • Основные параметры:
    • Тип: мостовой диод
    • Фаза: однофазная
    • Номинальное напряжение: 1 кВ
    • Рейтингный ток: 20 А
    • Марка: GBJ
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (1 кВ)
    • Высокий рейтингный ток (20 А)
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при работе с максимальным током
    • Могут быть ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Передача переменного тока в постоянный для различных электронных устройств
    • Защита электронной аппаратуры от обратного напряжения
    • Уменьшение колебаний напряжения
  • Применение:
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Инверторы
    • Системы питания для бытовой техники
    • Электропитание для компьютерных систем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2010-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2010

Техническая документация

 GBJ2010-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 15 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    555 ₽
  • 15
    278 ₽
  • 105
    227 ₽
  • 510
    200 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2010-F
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2010-F при покупке от 1 шт 555.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2010-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2010-F

GBJ2010-F Diodes Incorporated Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ

  • Основные параметры:
    • Тип: мостовой диод
    • Фаза: однофазная
    • Номинальное напряжение: 1 кВ
    • Рейтингный ток: 20 А
    • Марка: GBJ
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (1 кВ)
    • Высокий рейтингный ток (20 А)
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при работе с максимальным током
    • Могут быть ограничения по температуре работы
  • Общее назначение:
    • Передача переменного тока в постоянный для различных электронных устройств
    • Защита электронной аппаратуры от обратного напряжения
    • Уменьшение колебаний напряжения
  • Применение:
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Инверторы
    • Системы питания для бытовой техники
    • Электропитание для компьютерных систем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2010-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2010

Техническая документация

 GBJ2010-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    526Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    555Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    158Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    291Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    308Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    310Кешбэк 46 баллов
    KBU6MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6BBRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
    336Кешбэк 50 баллов
    KBU8MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
    344Кешбэк 51 балл
    BR62BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
    382Кешбэк 57 баллов
    BR82BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    BR88BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    KBJ25005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A KBJ
    386Кешбэк 57 баллов
    KBPC1502WBRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов
    KBPC15005WBRIDGE RECT 1P 50V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторные модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП