Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBU406
  • В избранное
  • В сравнение
GBU406

GBU406

GBU406
;
GBU406

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TAIWAN SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU406
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU406 при покупке от 1 шт 192.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU406 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU406

GBU406 EVVO Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600 В
    • Номинальный ток: 4 А
    • Фаза: 1фаза
    • Тип: мостовой резистор
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая эффективность преобразования напряжения
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Высокие требования к установке и подключению
    • Необходимость использования дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение: Преобразование асимметричного или симметричного тока из переменного тока в постоянный ток.
  • Применение:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Энергосберегающие устройства
    • Системы зарядки аккумуляторов
Выбрано: Показать

Характеристики GBU406

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU406

Техническая документация

 GBU406.pdf
pdf. 0 kb
  • 241 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    192 ₽
  • 20
    120 ₽
  • 260
    86 ₽
  • 1000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TAIWAN SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU406
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU406 при покупке от 1 шт 192.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU406 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU406

GBU406 EVVO Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600 В
    • Номинальный ток: 4 А
    • Фаза: 1фаза
    • Тип: мостовой резистор
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая эффективность преобразования напряжения
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
  • Минусы:
    • Высокие требования к установке и подключению
    • Необходимость использования дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение: Преобразование асимметричного или симметричного тока из переменного тока в постоянный ток.
  • Применение:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи
    • Энергосберегающие устройства
    • Системы зарядки аккумуляторов
Выбрано: Показать

Характеристики GBU406

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU406

Техническая документация

 GBU406.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-36MT80BRIDGE RECT 3PHASE 800V 35A D-63
    3 252Кешбэк 487 баллов
    VS-26MT160BRIDGE RECT 3P 1.6KV 25A D-63
    4 178Кешбэк 626 баллов
    VS-36MT140BRIDGE RECT 3P 1.4KV 35A D-63
    4 904Кешбэк 735 баллов
    GBU1004BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU
    202Кешбэк 30 баллов
    GBJ1504BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
    343Кешбэк 51 балл
    GBPC1502WBRIDGE RECT 1P 200V 15A GBPC-W
    354Кешбэк 53 балла
    GBPC1506BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    538Кешбэк 80 баллов
    GBPC2501WBRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
    786Кешбэк 117 баллов
    GUO40-12NO1Диод: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 40A GUFP
    3 122Кешбэк 468 баллов
    VBO36-16NO8BRIDGE RECT 3P 1.6KV 30A FO-B
    3 347Кешбэк 502 балла
    MB3510Диод: 35 AMP BRIDGE RECTIFIER
    575Кешбэк 86 баллов
    VS-1KAB40EBRIDGE RECT 1P 400V 1.2A D-38
    614Кешбэк 92 балла
    VS-KBPC6005PBFДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A D-72
    730Кешбэк 109 баллов
    VS-KBPC8005PBFДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A D-72
    784Кешбэк 117 баллов
    VS-KBPC810PBFДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A D-72
    814Кешбэк 122 балла
    VS-KBPC801PBFBRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A D-72
    972Кешбэк 145 баллов
    VS-KBPC806BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A D-72
    1 133Кешбэк 169 баллов
    VS-GBPC2508ABRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-A
    1 594Кешбэк 239 баллов
    VS-36MT10BRIDGE RECT 3PHASE 100V 35A D-63
    3 272Кешбэк 490 баллов
    2W005G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOG
    68Кешбэк 10 баллов
    MB2S-E3/45BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA
    76Кешбэк 11 баллов
    DF04MA-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFM
    112Кешбэк 16 баллов
    B250C1000G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A WOG
    126Кешбэк 18 баллов
    DF005M-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFM
    134Кешбэк 20 баллов
    B380C1000G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A WOG
    148Кешбэк 22 балла
    DF06S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
    160Кешбэк 24 балла
    B80C1000G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1A WOG
    172Кешбэк 25 баллов
    B40C800DM-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 65V 900MA DFM
    180Кешбэк 27 баллов
    W06G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOG
    192Кешбэк 28 баллов
    B380C800G-E4/51BRIDGE RECT 1P 600V 900MA WOG
    192Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП