GS82583ET36GK-675I

GS82583ET36GK-675I GSI Technology Микросхема:

• Тип: SRAM (Синхронная память с отключаемым питанием)
• Объем: 288 Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Количество пинов: 260 BGA (Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Технология: 130 nm
• Напряжение питания: 1.8 V
• Частота: до 200 MHz
• Тип памяти: SRAM (синхронная память с отключаемым питанием)

Плюсы:

• Быстрая скорость доступа к данным, благодаря использованию синхронного интерфейса.
• Низкая задержка, что обеспечивает высокую производительность.
• Устойчивость к помехам, из-за использования синхронного интерфейса.
• Малая задержка при отключении питания, что делает эту память подходящей для систем с отключаемым питанием.

Минусы:

• Высокое энергопотребление, особенно при частых операциях записи.
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM.
• Необходимость постоянного питания, чтобы сохранить данные.

Общее назначение:

• Временная память для процессоров и графических процессоров.
• Кэш-память для ускорения доступа к часто используемым данным.
• Память для временного хранения данных в системах управления и контроллерах.

В каких устройствах применяется:

• Процессоры и графические карты.
• Контроллеры и системы управления.
• Системы связи и коммуникаций.
• Автомобильные системы.
• Медицинское оборудование.