Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
HN1C01FU-Y,LF
  • В избранное
  • В сравнение
HN1C01FU-Y,LF

HN1C01FU-Y,LF

HN1C01FU-Y,LF
;
HN1C01FU-Y,LF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    HN1C01FU-Y,LF
  • Описание:
    Транзистор: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50Все характеристики

Минимальная цена HN1C01FU-Y,LF при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HN1C01FU-Y,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HN1C01FU-Y,LF

HN1C01FU-Y, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50

  • Основные параметры:
    • VCEO = 50 В
    • Ic (max) = 1 А
    • hFE (min) = 200
    • Температурный диапазон: -55°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокий коэффициент усиления hFE
    • Устойчивость к высоким температурам
  • Минусы:
    • Высокие значения тока могут вызвать перегрев при неправильном использовании
    • Наличие двух NPN транзисторов может усложнять схемотехническое решение
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Регулировка тока
    • Коммутация электрических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и регулировка напряжения
    • Промышленное оборудование
    • Видеоджеки и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики HN1C01FU-Y,LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Трансформация частоты
    80MHz
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    US6
  • Base Product Number
    HN1C01

Техническая документация

 HN1C01FU-Y,LF.pdf
pdf. 0 kb
  • 14545 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    41 ₽
  • 100
    15.4 ₽
  • 1000
    10 ₽
  • 6000
    7 ₽
  • 24000
    5.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    HN1C01FU-Y,LF
  • Описание:
    Транзистор: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50Все характеристики

Минимальная цена HN1C01FU-Y,LF при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HN1C01FU-Y,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HN1C01FU-Y,LF

HN1C01FU-Y, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50

  • Основные параметры:
    • VCEO = 50 В
    • Ic (max) = 1 А
    • hFE (min) = 200
    • Температурный диапазон: -55°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Высокий коэффициент усиления hFE
    • Устойчивость к высоким температурам
  • Минусы:
    • Высокие значения тока могут вызвать перегрев при неправильном использовании
    • Наличие двух NPN транзисторов может усложнять схемотехническое решение
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Регулировка тока
    • Коммутация электрических цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и регулировка напряжения
    • Промышленное оборудование
    • Видеоджеки и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики HN1C01FU-Y,LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Трансформация частоты
    80MHz
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    US6
  • Base Product Number
    HN1C01

Техническая документация

 HN1C01FU-Y,LF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AC857BSQ-7Транзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    57Кешбэк 8 баллов
    2N4403RPТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.4Кешбэк 1 балл
    2N4401RPТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.4Кешбэк 1 балл
    BC857CMTFSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.4Кешбэк 1 балл
    KSC5321POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    65Кешбэк 9 баллов
    MJD47TF-FSPOWER BIPOLAR TRANSISTOR
    93Кешбэк 13 баллов
    2N3904RMТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.4Кешбэк 1 балл
    BC80740Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    18.5Кешбэк 2 балла
    PN3638SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    13Кешбэк 1 балл
    2SA1708T-AN-FSSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    57Кешбэк 8 баллов
    CMKT5087 TR PBFREEТранзистор: TRANS 2PNP 50V 0.05A SOT-363
    196Кешбэк 29 баллов
    CMLT5551 TR PBFREEТранзистор: TRANS 2NPN 160V 0.6A SOT-563
    128Кешбэк 19 баллов
    CMLT2907A TR PBFREEТранзистор: TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563
    128Кешбэк 19 баллов
    CMLT3946EG TR PBFREEТранзистор: TRANS ARRAY 60V 0.2A SOT563
    130Кешбэк 19 баллов
    CMKT5089M10 TR PBFREEТранзистор: TRANS 2NPN 25V 0.05A SOT363
    283Кешбэк 42 балла
    MPQ2222 PBFREEТранзистор: TRANS 4NPN 40V 0.5A
    1 136Кешбэк 170 баллов
    TPQ2907Транзистор: TPQ QUAD TRANSISTOR ARRAYS
    150Кешбэк 22 балла
    TPQ3904Транзистор: TPQ QUAD TRANSISTOR ARRAYS
    165Кешбэк 24 балла
    CA3096CMТранзистор: 3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY
    220Кешбэк 33 балла
    BC817BPNТранзистор: BJT SOT-26 45V 500MA
    28.5Кешбэк 4 балла
    BC847PNТранзистор: BJT SOT-363 45V 100MA
    39.5Кешбэк 5 баллов
    BC847S-AQТранзистор: BJT SOT-363 45V 100MA
    40.4Кешбэк 6 баллов
    BCM847BSТранзистор: BJT SOT-363 45V 100MA
    67Кешбэк 10 баллов
    BC846SТранзистор: BJT SOT-363 65V 100MA
    39.5Кешбэк 5 баллов
    2N5794Транзистор: NPN TRANSISTOR
    2 982Кешбэк 447 баллов
    KSE13009FTUТранзистор: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    85Кешбэк 12 баллов
    BC846BDW1T1HТранзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTO
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSM3005NZTAGTRANS PNP 30V 500MA 6UDFN
    145Кешбэк 21 балл
    NSV60101DMR6T1GТранзистор: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
    113Кешбэк 16 баллов
    LS351 TO-78 6LТранзистор: TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    1 914Кешбэк 287 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП