HSU227JTRF-E от 26 ₽ доступно 221761 шт Renesas Electronics Corporation

HSU227JTRF-E

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Артикул:
HSU227JTRF-E
Описание:
SCHOTTKY BARRIER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена HSU227JTRF-E при покупке от 2214 шт 26.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HSU227JTRF-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HSU227JTRF-E

HSU227JTRF-E Renesas Electronics Corporation SCHOTTKY BARRIER DIODE

Основные параметры:
- Максимальное напряжение (V_BR) - 220 В
- Максимальный ток (I_SM) - 7 А
- Сопротивление при напряжении (R_on) - ≤ 15 мО
- Температурная стабильность V_BR - ≤ ±5%
- Ширина диода по длине (L) - 0.9 мм
- Ширина диода по ширине (W) - 0.4 мм
Плюсы:
- Низкое сопротивление при напряжении, что обеспечивает меньшие потери энергии
- Малый размер, что позволяет экономить место на печатной плате
- Высокая скорость переключения, что улучшает работу в высокочастотных системах
- Стабильность характеристик при изменении температуры
Минусы:
- Высокие потери при обратном токе
- Не подходит для высоковольтных приложений
Общее назначение:
- Контакты питания
- Защита от обратного тока
- Переключатели высокой частоты
В каких устройствах применяется:
- Мобильные устройства
- Автомобили
- Электронные системы управления двигателем
- Инверторы
- Промышленное оборудование

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики HSU227JTRF-E

221761 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 2214 шт

Количество
Цена
2214
26 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Артикул:
HSU227JTRF-E
Описание:
SCHOTTKY BARRIER DIODEВсе характеристики

Описание HSU227JTRF-E

HSU227JTRF-E Renesas Electronics Corporation SCHOTTKY BARRIER DIODE

Основные параметры:
- Максимальное напряжение (V_BR) - 220 В
- Максимальный ток (I_SM) - 7 А
- Сопротивление при напряжении (R_on) - ≤ 15 мО
- Температурная стабильность V_BR - ≤ ±5%
- Ширина диода по длине (L) - 0.9 мм
- Ширина диода по ширине (W) - 0.4 мм
Плюсы:
- Низкое сопротивление при напряжении, что обеспечивает меньшие потери энергии
- Малый размер, что позволяет экономить место на печатной плате
- Высокая скорость переключения, что улучшает работу в высокочастотных системах
- Стабильность характеристик при изменении температуры
Минусы:
- Высокие потери при обратном токе
- Не подходит для высоковольтных приложений
Общее назначение:
- Контакты питания
- Защита от обратного тока
- Переключатели высокой частоты
В каких устройствах применяется:
- Мобильные устройства
- Автомобили
- Электронные системы управления двигателем
- Инверторы
- Промышленное оборудование

Выбрать все

Выбрано: Показать

HSU227JTRF-E

HSU227JTRF-E

Описание HSU227JTRF-E

Характеристики HSU227JTRF-E

Описание HSU227JTRF-E

Характеристики HSU227JTRF-E

Похожие товары

Похожие категории