HSU227JTRF-E

HSU227JTRF-E Renesas Electronics Corporation SCHOTTKY BARRIER DIODE

• Основные параметры:
  • Максимальное напряжение (V_BR) - 220 В
  • Максимальный ток (I_SM) - 7 А
  • Сопротивление при напряжении (R_on) - ≤ 15 мО
  • Температурная стабильность V_BR - ≤ ±5%
  • Ширина диода по длине (L) - 0.9 мм
  • Ширина диода по ширине (W) - 0.4 мм
• Плюсы:
  • Низкое сопротивление при напряжении, что обеспечивает меньшие потери энергии
  • Малый размер, что позволяет экономить место на печатной плате
  • Высокая скорость переключения, что улучшает работу в высокочастотных системах
  • Стабильность характеристик при изменении температуры
• Минусы:
  • Высокие потери при обратном токе
  • Не подходит для высоковольтных приложений
• Общее назначение:
  • Контакты питания
  • Защита от обратного тока
  • Переключатели высокой частоты
• В каких устройствах применяется:
  • Мобильные устройства
  • Автомобили
  • Электронные системы управления двигателем
  • Инверторы
  • Промышленное оборудование